توضیحات
فصل اول کلیات
۱-۱) نانو چیست؟
۱-۲) مقدمه ای بر لایه های نازک
۱-۳) تاریخچه لایه های نازک
۱-۴) ویژگی های لایه های نازک
۱-۵) روشهای ساخت لایه های نازک
۱-۵-۱) روشهای فیزیکی
۱-۵-۱-۱) رسوب گذاری فیزیکی از فاز بخار
۱-۵-۱-۲) فرایند های تبخیر
۱-۵-۱-۳) برآرایی باریکه مولکولی
۱-۵-۱-۴) رسوبگذاری با بهره گیری از پرتو یونی
۱-۵-۱-۵) فرایند کند و پاش
۱-۵-۲)روشهای شیمیایی
۱-۵-۲-۱) رسوب دهی شیمیایی از بخار
۱-۵-۲-۲) رسوبگیری از حمام شیمیایی
۱-۶) مشخصه یابی نمونه ها
۱-۶-۱) طیف سنجی پراش اشعه ایکس
۱-۶-۱-۱)پراش پرتوx
۱-۶-۱-۲) روشهای پراش پرتوx
۱-۶-۲) میکروسکوپ الکترونی عبوری((TEM
۱-۶-۳) میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM)
۱-۷) خواص تابع اندازه نانو ذرات
۱-۸) نقاط کوانتومی
۱-۹) گاف انرژی
۱-۱۰) گاف انرژی در نیمرساناها
۱-۱۱) اکسیتون در نانو ذرات
فصل دوم مرور منابع
۲-۱)مقدمه
۲-۲) مروری بر مقاله های ساخت و مشخصه نگاری نیکل
۲-۲-۱) بررسی مقاله اول
۲-۱-۲) بررسی مقاله دوم
فصل سوم مواد و روش ها
۳-۱) مقدمه
۳-۲)تاریخچه رسوبگیری شیمیایی
۳-۳) رسوبگیری شیمیایی چیست؟
۳-۴) چه موادی می توانند به روش رسوبگیری شیمیایی رسوبگیری شوند؟
۳-۴) تشکیل کالکوژن های یونی
۳-۵) لایه نشانی حمام شیمیایی
۳-۵) مزایا و معایب لایه نشانی به روش رسوب حمام شیمیایی
۳-۶) مواد استفاده شده
۳-۷) دستگاه های مورد استفاده
۳-۸) شستن زیر لایه
۳-۹) تهیه محلول نیترات نیکل
۳-۱۰) تهیه محلول سدیم سلنو سولفات
۳-۱۱) تهیه محلول نهایی
۳-۱۲) مشخصه یابی نمونه ها
۳-۱۳) اندازه گیری گاف انرژی نواری
۳-۱۴) تحلیل طرح پراش پرتوx
فصل چهارم بحث و نتیجه گیری
۴-۱) مقدمه
۴-۲)بررسی خواص فیزیکی لایه های نازک.NiSe
۴-۲-۱) پراش اشعه ایکس
۴-۲-۲) میکروسکوپ الکترونی روبشی
۴-۳) بررسی خواص نوری لایه نازک سلنید نیکل
۴-۳-۱) گاف انرژی
۴-۳-۲) تعیین گاف انرژی
۴-۴) بحث و نتیجه گیری
۴-۵)پیشنهادات
نقد و بررسیها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.