توضیحات
فصل اول
مقدمه
فصل دوم
۲-۱- معرفی نانو نوار گرافن
۲-۱-۱- روش های تولید گرافن :
۲-۱-۱-۱- لیتوگرافی پرتو E
۲-۱-۱-۲- روش پوسته پوسته کردن میکرومکانیکی :
۲-۱-۱-۳- روش رشد همبافته :
۲-۱-۱-۴- روش رسوب نشانی بخار شیمیایی(CVD) :
۲-۱-۱-۵- روش تهیه گرافن از اکسید گرافیت :
۲-۱-۱-۶- گرافن مصنوعی :
۲-۱-۱-۷- سنتز گرافن از گرافیت با استفاده از روش های حرارتی:
۲-۱-۱-۸- سنتز نانوریبونهای گرافنی درون نانولولههای کربنی :
۲-۲- ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن
۲-۲-۱- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن سد شاتکی
۲-۲-۲- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن ماسفتی
۲-۲-۳- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن تونلی (TFET)
فصل سوم
۳-۳- مروری بر روش شبیه سازی NEGF
فصل چهارم
۴-۱- خازن گیت افزاره
۴-۲- فرکانس قطع بهره جریان واحد
۴-۳- زمان تاخیر در هر بار عمل کلید زنی
۴-۴- توان مصرفی(PDP)
۴-۵- شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن
۴-۵-۱- مشخصات افزاره GNRFETماسفتی
۴-۵-۲- بررسی منحنی مشخصه های ترانزیستورGNRFET ماسفتی
۴-۵-۳- اثرات تغییر ساختار برمنحنی مشخصه های GNRFET ماسفتی
فصل پنجم
جمع بندی و پیشنهادات
نقد و بررسیها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.