توضیحات
فصل اول لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها
مقدمه
۱-۱ تعریف لایه های نازک
۱-۲ مراحل تشکیل لایه های نازک
۱-۳ خواص لایه های نازک
۱-۳-۱ خواص لایه نازک :
۱-۳-۲ خواص مکانیکی :
۱-۳-۳ خواص الکتریکی
۱-۳-۴ خواص مغناطیسی :
۱-۳-۵ خواص نوری
۱-۳-۶ خواص شیمیایی :
۱-۳-۷ خواص حرارتی :
۱-۴ روش های تهیه لایه های نازک
۱-۵ رسوب فیزیکی بخار PVD :
۱-۶ روش تبخیر حرارتی :
۱-۶-۱ تبخیر حرارتی مقاومتی
۱-۶-۲ روش تبخیر حرارتی پرتو الکترونی :
۱-۶-۳ روش تبخیر حرارتی لیزری
۱-۶-۴ روش آنی تبخیر
۱-۶-۵ تبخیر با استفاده از قوس الکتریکی :
۱-۷ کند وپاش
۱-۸ رسوب شیمیایی بخار CVD
۱-۹ اپی تکسی باریکه مولکولی : MBE
۱-۱۰ لایه گذاری به وسیله پالس لیزری PLD :
۱-۱۱ لایه نشانی حمام شیمیایی CBD :
۱-۱۲ روش لایه نشان سل ژل
۱-۱۲-۱ مراحل فرآیند سل ژل
فصل ۲نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی
مقدمه
۲-۱ نیمه هادی ها
۲-۲ نیمه هادی های نوع N و P
۲-۳ گاف انرژی
۲-۴ نظریه نوار ها
۲-۴-۱ نوار های الکترونیکی
۲-۴-۲ جابه جایی بین نواری
۲-۵ مواد از نظر گسیل فوتونی
۲-۵-۱ گاف انرژی مستقیم و غیر مستقیم :
۲-۶ وابستگی گاف انرژی به دما و فشار
۲-۷ ماهیت نور
۲-۸ بیان کمی پدیده ها اپتیکی
۲-۸-۱ فرآیند جذب
۲-۹ مدل سازی تابع دی الکتریک
۲-۹-۱ مدل تاک لورنتز
۲-۱۰ نیمه هادی
فصل ۳ انواع روش های اندازه گیری ناهمواری های سطح لایه های نازک
مقدمه
۳-۱ میکروسکوپ هم کانونی
۳-۱-۱ اساس کار میکروسکوپ هم کانونی
۳-۱-۲ پارامتر های اپتیکی در میکروسکوپ هم کانونی
۳-۲ میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM)
۳-۲-۲ آشکار سازی جهت گیری تیرک
۳-۲-۳ مدهای مختلف AFM
۳-۲-۴ مدهای تماسی
۳-۲-۵ روش های شبه تماسی
۳-۳ میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)
۳-۴ میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)
۳-۴-۱ میکروسکوپ الکترونی عبوری
۳-۴-۲ عملکرد میکروسکوپ
۳-۵ مزیت و توانمندی های هر یک از میکروسکوپ ها
۳-۶ محدودیت های هر یک از این روش ها
۳-۷ بیضی سنجی
۳-۷-۱ اساس کار بیضی سنجی
فصل ۴کارهای آزمایشگاهی، بحث و نتیجه گیری
مقدمه
۴-۱ روش های عملی و ساخت نمونه ها
۴-۲ اندازه گیری ناهمواری سطح و بستگی ضرایب اپتیکی به آن
۴-۳ نتیجه گیری
۴-۴ پیشنهادات
نقد و بررسیها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.