توضیحات
فصل اول:کلیات تحقیق
۱- بیان مسئله و ضرورت انجام تحقیق
۱-۱ تکنولوژی های مورد استفاده
۱-۱-۱ نانولوله های کربنی
۱-۱-۲ نانو سیم های سیلیکونی
فصل دوم: مروری بر تحقیقات انجام شده
۲-۱ ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی
۲-۲ کاربرد نانولوله کربنی در نانو الکتریک
۲-۳ روشهای تولید و رشد نانولوله کربنی
۲-۴ ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی
۲-۴-۱روال ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی
۲-۵ مزایای استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی
۲-۶ چالش های استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی
۲-۶-۱ تغییر پذیری در قطر نانولوله های کربنی
۲-۶-۲ تراکم بسته بندی نانولوله ها
۲-۶-۳ فاصله بین نانولوله های کربنی مجاور و تغییر پذیری آن
۲-۶-۴ نامرتبی در نانو لوله ها
۲-۶-۵ وجود اتصالات SB بین سورس و درین و نانولوله ها
۲-۶-۶ رشد ناخواسته فلز در نانو لوله ها
فصل سوم: روش تحقیق
۱- مقدمه
۳-۱op-amp دو طبقه
۳-۱-۱ بهره حلقه باز فرکانس پایین AOLDC
۳-۲-۱ نرخ مد مشترک ورودی
۳-۱-۳ توان مصرفی
۳-۱-۴ سویینگ خروجی
۳-۱-۵ آفست
۳-۲ جبران سازی op-amp
۳-۱-۲حذف صفر
۳-۲-۲ جبران سازی برای عملکردهای با سرعت بالا
۳-۳سرعت تغییرات خروجی (Slew Rate)
۳-۴ CMRR
۳-۵ PSRR
۳-۶ خلاصه مقادیر cmos op-amp
فصل چهارم: نتایج
۴-۱ ساختار مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی
۴-۲ cnfet op-amp دو طبقه
۴-۳ بهره حلقه باز cnfet op-amp
۴-۴ پاسخ فرکانسی cnfet op-amp
۴-۵ پاسخ پله cnfet op-amp
۴-۶ شبیه سازی CMRR در cnfet op-amp
۴-۷ خلاصه پارامترهای cnfet op-amp
فصل پنجم:بحث و نتیجه گیری
۵-۱ مقایسه پارامترهای cmos&cnfet op-amp.
نقد و بررسیها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.